Hersteller Produktnummer:
TSM60NC196CI C0G
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM60NC196CI C0G-DG
Beschreibung:
600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 70W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventar:
3840 Stück Neu Original Auf Lager
12991722
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TSM60NC196CI C0G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
196mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1535 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ITO-220
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
TSM60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
1801-TSM60NC196CIC0G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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